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Program :
TCP/ICP
CCP
Etch
Deposition
Gas :
SiH4
[Selection]
TCP
ICP
No.1
No.2
No.3
Heating ON
Heating OFF
[Calculation]
fixed prs(m Torr)
initial_power(W)
last_power(W)
power_step(W)
fixed power
initial_pressure
last_pressure
pressure_step
[Fixed Condition]
Q(sccm)
frequency
[Chamber Size]
R(cm)
Lp(cm)
Ls(cm)
JGRID(#)
KGRID(#)
Mode_M(#)
Mode_N(#)
[Option]
dt
limit_error
tg(k)
# of coil :
num
rc
zc
1
2
ant_width :
ant_height :
[Main Input]
L(cm)
dt(#)
R(cm)
Cycle(#)
Ti_1(eV)
IO(A/m2)
Ti_2(eV)
FREQ(1/s)
PRS(mTorr)
[Main Input]
Bias_frequency(1/s)
V_ac(V)
geometry_type
mask_width(µm)
mask_height(µm)
simulation_width(µm)
inclination_angle(°)
selectivity
process_time(s)
etch_dt(s)
number_output(#)
[Cl2 Input]
Te(eV)
Ti(eV)
Tn(eV)
Cl+ Density(cm‾³)
Cl2+ Density(cm‾³)
Cl radical density(cm‾³)
[Main Input]
Bias_frequency(1/s)
V_ac(V)
geometry_type
mask_width(µm)
mask_height(µm)
simulation_width(µm)
inclination_angle(°)
selectivity
process_time(s)
etch_dt(s)
number_output(#)
[Ar Input]
Te(eV)
Ti(eV)
Tn(eV)
Ar+ density(cm‾³)